1.手动、半自动、全自动有掩膜光刻机$n2.高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米$n3.基片尺寸可满足4、6、8、12英寸$n4.经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟$n5.设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻

无掩膜/激光直写光刻机 参数：1. 光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器$n2. 线宽：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效率：可达到3000mm2/min@5μm4. XY行程：55~205mm5. 样品尺寸：最小3mm*3mm 最大8 inch6.应用领域：生物芯片、功率芯片光刻、掩膜版制造、3D衍射光学元件、先进芯片封装、光通讯。

步进式Stepper光刻机产品参数： 1. 解像力：≤350nm 2. 投影倍率：1:5 3. 市场尺寸：20mm*20mm(5inch)/ 22mm*22mm(6inch) 4. 光源：i-Line 365nm 5. 掩膜版尺寸：5inch/6inch(可选)

电子束光刻系统 技术参数： 1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm 2.50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调 3.肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA

纳米压印系统 简介：1. 兼容基底尺寸：直径≤100mm2. 支持基底材料：硅片、玻璃、石英、塑料、金属等3. 纳米压印技术：旋涂胶基底高精度压印&点胶自动找平压印、旋涂胶基底压印、点胶自动找平压印模式4. 压印精度：优于10nm5. 结构深宽比：优于10：1

等离子清洗&去胶机 产品简介： 1) 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蚀、材料涂覆 (2) 80 kHz：功率 1000 或 3000 W (3) 13.56 MHz：功率 0 - 300 W；0 - 600 W；0 - 1000 W (4) Hz：功率 0 - 1200 W (5) 所有发生器均为 0 - 100% 无级可调型 (6) 圆形不锈钢，带铰链的门（约 φ400 mm，