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一、电子束光刻系统技术参数：
1.最小线宽≤8nm 光栅周期≤40nm
2.50KV加速电压下，写场可在0.5μm~500μm的范围内连续可调
3.肖特基热场发射电子束源，最高加速电压≥50kv，束电流范围至少为50pA~40nA，最大束电流≥40nA
4.图像发生器扫描频率≥50MHz，20bit分辨率，最小步距为0.5nm
5.通用样品架可承载散片，4inch以下的衬底，4inch专用晶圆专用样品架，6inch专用晶圆专用样品架，多样品专用样品架
二、电子束光刻系统技术参数：
1.拼接精度：
100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下，拼接精度≤30nm【mean】+3sigma
2.套刻精度：
100μm写场下，拼接精度≤20nm【mean】+3sigma
500μm写场下，拼接精度≤25nm【mean】+3sigma
束电流稳定性＜0.2%/h 束位置稳定性＜120nm/8h
三、企业简介：
是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。
致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、 、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
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