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多腔等离子体工艺系统:
l方案是适用于最大8吋晶圆的多腔等离子体沉积/刻蚀工艺系统
l系统可用于研发和小批量生产
l系统兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圆和不规则碎片;不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空
l多腔等离子体工艺系统包括:一个六端口的转接腔、带机械手
六个端口分别连接:
(1)一个ALE刻蚀腔模块:用于Al2O3, AlGaN, GaN等的原子层刻蚀
(2)一个ICPECVD沉积腔模块:用于沉积氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介质薄膜 (3)一个低温ICP-RIE刻蚀腔模块:配氟基气体,主要用于低温深硅刻
蚀、常温锗刻蚀等
(4)一个loadlock预真空室模块:用于单片样品的手动送样
(5)一个真空片盒站模块:用于多片片盒的自动送样
(6)一个端口备用,未来可升级增加1个刻蚀或沉积反应腔模块
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