多腔等离子体刻蚀系统

简要描述：多腔等离子体刻蚀系统-概述：
1.方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统
2.系统可用于研发和小批量生产
3.系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

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多腔等离子体刻蚀系统：

l方案是适用于最大8吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统

l系统可用于研发和小批量生产

l系统兼容8吋、6吋、4吋、3吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空

l多腔等离子体刻蚀系统包括：

一个六端口的转接腔、带机械手

六个端口分别连接：

（1）一个ICP-RIE刻蚀腔模块：专用于刻蚀铌酸锂

（2）一个ICP-RIE刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去胶等（3）一个RIE刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等

（4）一个loadlock预真空室模块：用于单片样品的手动送样

（5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样

（6）一个端口备用，未来可升级增加1个刻蚀或沉积反应腔模块

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