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一、离子注入机产品介绍：
1. 单价离子最大加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围
2. 可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片
3. 可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子
4. 注入剂量精准度≤1.5%
5. 离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2
6. 离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统
7. 离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入
8. 离子注入倾斜角度在0°和7°
9. 室温台：0°和7°；高温台：0°
10. 真空度：
Ion Source真空度：≤7×10-4Pa
Beam Line真空度：≤7×10-5Pa
End Station真空度：≤7×10-5Pa
二、离子注入机产品结构：
1. 束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器。
2. 真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元。
三、企业介绍：
是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。
致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、 、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。
公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。
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