化学气相沉积MOCVD

简要描述：化学气相沉积MOCVD 简介：
1. MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料
2. 应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等
3. 从研发到大规模生产
4. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

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厂商性质：经销商
更新时间：2024-03-28
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一、化学气相沉积MOCVD产品介绍：

1.应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等

2. 从研发到大规模生产

3. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

4. 通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch

5. Ga2O3薄膜生长速率：>3um/h

6. Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm

二、化学气相沉积MOCVD产品原理及性能：

1.MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料

2. 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃

3. 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）

4. 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能

5.搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图

三、企业简介：

是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

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