电感耦合等离子体刻蚀ICP

简要描述：电感耦合等离子体刻蚀ICP
1. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
2. 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C
3. ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm
4. 应用方向：
(1) III-V族材料的刻蚀工艺
(2) 固体激光器InP刻蚀
(3) VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
(4) 射频器件低损伤GaN刻蚀

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厂商性质：经销商
更新时间：2024-03-28
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详细介绍

一、电感耦合等离子体刻蚀ICP产品介绍：

1. 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺

2. 电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C

3. ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm

二、电感耦合等离子体刻蚀ICP应用方向：

(1) III-V族材料的刻蚀工艺

(2) 固体激光器InP刻蚀

(3) VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀

(4) 射频器件低损伤GaN刻蚀

(5) 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

(6) 类金刚石（DLC）沉积

(7) 二氧化硅和石英刻蚀

(8) 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、裸晶片以及200mm晶圆

(9) 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途

(10) 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀

三、企业简介：

是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

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